EVG 850LT 直接晶圆键合系统
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产品详情
“EVG 850LT 直接晶圆键合系统”参数说明
是否有现货: | 是 | 自动化程度: | 半自动 |
是否加工定制: | 是 | 电流: | 交流 |
产量: | 2000 |
“EVG 850LT 直接晶圆键合系统”详细介绍
EVG®850 LT
Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding
EVG®850LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统
自动化生产键合系统,适用于多种融合/分子晶圆键合应用
晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统和具有LowTemp?等离子活化的直接晶圆键合,融合了熔合的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此,经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。
特征
利用EVG的LowTemp?等离子激活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种融合/分子晶圆键合应用 ;生产系统可在高通量,高产量环境中运行
盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP); 的背面处理
超音速和/或刷子清洁; ; 机械平整或缺口对齐的预粘合
的远程诊断技术数据
晶圆直径(基板尺寸)100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预粘接室
对齐类型:平面到平面或凹口到凹口
对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°
结合力: 5 N
键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活
真空系统:9x10-2 mbar(标准)和9x10-3 mbar(涡轮泵选件)
LowTemp?等离子激活模块
2种标准工艺气体:N2和O2,以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(Ar,He,Ne等)和合成气(N2,Ar和H4含量 )
通用质量流量控制器: 可对4种工艺气体进行自校准,可对配方进行编程,流速最高可达到20.000 sccm
真空系统:9x10-2 mbar(标准)和9x10-3 mbar(涡轮泵选件),高频RF发生器和匹
配单元:清洁站;清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选); 腔室:由PP或PFA制成
清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2( )。 2%浓度(可选)
旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成;
旋转: 3000 rpm(5 s)
清洁臂: 5条介质线(1个超音速系统使用2条线)
可选功能: 3迷你环境(根据 14644); LowTemp?等离子活化室
红外检查站
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