IGBT功率模块/器件测试 长禾实验室
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产品详情
“IGBT功率模块/器件测试 长禾实验室”参数说明
是否有现货: | 是 | 认证: | ISO9001 |
元器件种类: | 半导体器件测试仪 | 型号: | ISO9001 |
规格: | ISO9001 | 产地: | 陕西西安 |
“IGBT功率模块/器件测试 长禾实验室”详细介绍
测试项目:
静态参数 符号
Drain to Source Breakdown Voltage BVDSS
Drain Leakage Current IDSS
Gate Leakage Current IGSS
Gate Threshold Voltage VGS(th)
Drain to Source On Resistance RDS(on)
Drain to Source On Voltage VDS(on)
Body Diode Forward Voltage VSD
Internal Gate Resistance Rg
Input capacitance Cies
Output capacitance Coes
Reverse transfer capacitance Cres
Transconductance gfs
Gate to Source Plateau Voltage Vgs(pl)
动态参数 符号
Turn-on delay time td(on)
Rise time tr
Turn-off delay time td(off)
Fall time tf
Turn-on energy Eon
Turn-off energy Eoff
Diode reverse recovery time trr
Diode reverse recovery charge Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recovery current dirr/dt
Total gate charge QG
Gate-Emitter charge QGC
Gate-Collector charge QGE
其他参数 符号
thermal resistance Rth
Unclamped Inductive Switching UIS
Rever ased safe operating area RBSOA
Short circuit safe operation area SCSOA
产品范围:
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块
测试标准:
覆盖MIL-STD-750,IEC 60747系列,GB/T29332等标准;服务内容包括:静态参数,动态参数,热特性,雪崩耐量,短路特性及绝缘耐压测试;设备支持0-1500A,0-3000V的器件参数检测。
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