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西安长禾半导体技术有限公司

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经营模式: 商业服务

所在地区: 陕西省  西安市

认证信息: 身份认证

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西安长禾半导体技术有限公司是半导体分立器件制造,半导体分立器件销售,技术服务的优良服务提供商,竭诚为您提供全新的高温高湿循环测试服务,半导体分立器件大功率测试服务 西安长禾测试服务,FRD 浪涌电流 电子元器件失效分析实验室等系列产品。

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IGBT功率模块/器件测试 长禾实验室

图片审核中 IGBT功率模块/器件测试 长禾实验室
IGBT功率模块/器件测试 长禾实验室

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供货总量 100000件
产地 陕西省/西安市
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产品详情

“IGBT功率模块/器件测试 长禾实验室”参数说明

是否有现货: 认证: ISO9001
元器件种类: 半导体器件测试仪 型号: ISO9001
规格: ISO9001 产地: 陕西西安

“IGBT功率模块/器件测试 长禾实验室”详细介绍

IGBT功率模块/器件测试 长禾实验室基本介绍
功率器件要测哪些参数 IGBT要测那些参数 功率器件的静态参数测试/功率器件的动态参数测试,欢迎联系西安长禾半导体,我们是做深圳IGBT测试、深圳SiC测试、深圳间歇寿命测试、深圳老炼测试、HTGB测试、HTRB测试、HT3GB测试、深圳热阻测试、RTH测试、静态/动态参数测试、深圳DPA测试、失效分析
IGBT功率模块/器件测试 长禾实验室性能特点
随着技术尊龙人生就是搏网站,第三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用,未来应用潜力巨大。通常这些新型器件测试要求 的电压和功率水平, 的开关时间。西安长禾半导体积极布局第三代半导体功率器件的测试业务,引进国际 的测试技术,为功率半导体产业上下游企业提供器件参数检测服务,助力器件国产化、高新化尊龙人生就是搏网站。
IGBT功率模块/器件测试 长禾实验室技术参数

测试项目:

静态参数                                                     符号

Drain to Source Breakdown Voltage       BVDSS

Drain Leakage Current                             IDSS

Gate Leakage Current                              IGSS

Gate Threshold Voltage                          VGS(th)

Drain to Source On Resistance                RDS(on)

Drain to Source On Voltage                      VDS(on)

Body Diode Forward Voltage                      VSD

Internal Gate Resistance                                Rg

Input capacitance                                       Cies

Output capacitance                                  Coes

Reverse transfer capacitance                    Cres

Transconductance                                   gfs

Gate to Source Plateau Voltage          Vgs(pl)

动态参数                                                     符号

Turn-on delay time                                  td(on)

Rise time                                                     tr

Turn-off delay time                                    td(off)

Fall time                                                       tf

Turn-on energy                                         Eon

Turn-off energy                                         Eoff

Diode reverse recovery time                       trr

Diode reverse recovery charge                 Qrr

Diode peak reverse recovery current       Irrm

Diode peak rate of fall of reverse

recovery current                                       dirr/dt

Total gate charge                                       QG

Gate-Emitter charge                                QGC

Gate-Collector charge                             QGE

其他参数                                                    符号

thermal resistance                                    Rth

Unclamped Inductive Switching              UIS

Rever ased safe operating area        RBSOA

Short circuit safe operation area            SCSOA

IGBT功率模块/器件测试 长禾实验室使用说明

产品范围:

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块

IGBT功率模块/器件测试 长禾实验室采购须知

测试标准:

覆盖MIL-STD-750,IEC 60747系列,GB/T29332等标准;服务内容包括:静态参数,动态参数,热特性,雪崩耐量,短路特性及绝缘耐压测试;设备支持0-1500A,0-3000V的器件参数检测。

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