ComBond 自动化的高真空晶圆键合系统基本介绍

ComBond®Automated High-Vacuum Wafer Bonding System

ComBond®自动化的高真空晶圆键合系统

 

高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键

 

EVG ComBond高真空晶圆键合平台标志着EVG 的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑，可满足市场对 复杂的集成工艺的需求。 EVG ComBond支持的应用领域包括 的工程衬底，堆叠的太阳能电池和功率器件到 MEMS封装，高性能逻辑和“超越CMOS”器件。

EVG ComBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台，可以针对研发和高通量，大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制。 EVG ComBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数（CTE）的异质材料的粘合，并通过其 的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成。 EVG ComBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温粘合，这种金属可以在周围环境中快速重新氧化。对于所有材料组合，都可以实现无空隙和无颗粒的粘结界面以及出色的粘结强度。

 

特征

高真空，对齐，共价键合

在高真空环境（<5·10-8 mbar）中进行处理

原位亚微米面对面对准精度

高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除

优异的表面性能

导电结合

室温过程

多种材料组合，包括金属（铝）

无应力粘结界面

高粘结强度

用于HVM和R＆D的模块化系统

多达六个模块的灵活配置

基板尺寸最大为200毫米

完全自动化

 

技术数据

真空度：处理：<7E-8 mbar；处理：<5E-8毫巴

集群配置

处理模块：  3， 6

加载：手动，卡带，EFEM

可选的过程模块：

键合模块

ComBond®激活模块（CAM）

烘烤模块

真空对准模块（VAM）

晶圆直径：高达200毫米；

ComBond 自动化的高真空晶圆键合系统性能特点

 

ComBond 自动化的高真空晶圆键合系统技术参数

 

ComBond 自动化的高真空晶圆键合系统使用说明

 

ComBond 自动化的高真空晶圆键合系统采购须知