EVG 810LT 低温等离子激活系统基本介绍

EVG®810 LT  LowTemp? Plasma Activation System

EVG®810LT   LowTemp?等离子激活系统

 

适用于SOI，MEMS，化合物半导体和 基板键合的低温等离子体活化系统

 

技术数据

EVG810 LT LowTemp?等离子活化系统是具有手动操作的单腔独立单元。 处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激活并结合在等离子体激活室外部）。

 

特征

表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）

晶圆键合机制中 快的动力学

无需湿工艺

低温退火（ 400°C）下的 粘结强度

适用于SOI，MEMS，化合物半导体和 基板粘接

高度的材料兼容性（包括CMOS）

 

EVG810 LT技术数据

晶圆直径（基板尺寸）：50-200、100-300毫米

LowTemp?等离子活化室

工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）

通用质量流量控制器：自校准（高达20.000 sccm）

真空系统：9x10-2 mbar

腔室的打开/关闭：自动化

腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）

可选功能

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3 mbar基本压力

符合LowTemp?等离子活化粘结的材料系统

Si：Si / Si，Si / Si（热氧化，Si（热氧化）/ Si（热氧化）

TEOS / TEOS（热氧化）

绝缘体锗（GeOI）的Si / Ge

硅/氮化硅

玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半导体：GaAs，GaP，InP

 

聚合物：PMMA，环烯烃聚合物

用户可以使用上述和其他材料的“ 已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）

 

EVG 810LT 低温等离子激活系统性能特点

 

EVG 810LT 低温等离子激活系统技术参数

 

EVG 810LT 低温等离子激活系统使用说明

 

EVG 810LT 低温等离子激活系统采购须知