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经营模式: 贸易批发

所在地区: 尊龙人生就是搏网站市 

认证信息: 身份认证

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EVG 501 晶圆键合系统

图片审核中 EVG 501 晶圆键合系统
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EVG 501 晶圆键合系统

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“EVG 501 晶圆键合系统”参数说明

别名: EVG 501 晶圆键合系统 是否有现货:
认证: EVG 501 晶圆键合系统 品牌: EVG 501 晶圆键合系统
用途: EVG 501 晶圆键合系统 自动化程度: 手动
是否加工定制: 电流: 交流
型号: EVG 501 晶圆键合系统 规格: EVG 501 晶圆键合系统
商标: EVG 501 晶圆键合系统 包装: EVG 501 晶圆键合系统

“EVG 501 晶圆键合系统”详细介绍

EVG 501 晶圆键合系统基本介绍

EVG®501  Wafer Bonding System

EVG®501 晶圆键合系统

 

适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合系统

 

EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从单个芯片到150 mm200 mm键合室为200 mm)的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性是尊龙人生就是搏网站,研发机构或小批量生产的理想选择。 EVG大批量制造工具(例如EVG GEMINI)上的键合室设计相同,键合配方易于转移,可轻松扩大生产规模。

 

 

特征

的压力和温度均匀性

兼容EVG机械和光学对准器

灵活的研究设计和配置

从单芯片到晶圆

各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接粘合)

可选的涡轮泵(<1E-5mbar

可升级用于阳极键合

开室设计,易于转换和维护

兼容试生产

开室设计,易于转换和维护

200毫米粘合系统的最小占地面积:0.8平方米

配方与EVG的大批量生产粘合系统完全兼容

 

 

 

技术数据

接触力:20千牛

加热器尺寸150毫米200毫米                 基板尺寸单芯片100毫米

真空:标准:0.1毫巴

可选:1E-5 mbar                                 温度450°摄氏度

单芯片加工:是;                            夹盘系统/对准系统

150毫米加热器:EVG®610EVG®620EVG®6200

200毫米加热器:EVG®6200SmartView®NT

主动水冷                对于底面

阳极键合电源:  电压:2 kV          电流:50 mA

装载室:详见手册;

EVG 501 晶圆键合系统性能特点
 
  • 简介

 

EVG公司成立于1980年,公司总部和制造厂位于奥地利,在美国、日本和台湾设有分公司,并在其他各地设有销售代理及售后服务部,产品和服务遍及世界各地。

EVG公司是一家致力于半导体制造设备的全球供应商,其丰富的产品系列包括:涂胶和喷胶/显影机/热板/冷板、掩模版光刻/键合对准系统、基片热压键合/低温等离子键合系统、基片清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。

目前已有数千台设备安装在世界各地,被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件,SOI基片制造,3D封装,纳米压印,化合物半导体器件和功率器件等领域。

EVG公司是世界上jian的基片键合设备制造商,其键合工艺被认定为MEMS领域的标准工艺。EVG键合系统可实现阳极键合、热压键合、中间层粘着键合、 玻璃浆料键合、硅-硅直接键合、共晶键合及SOI键合等所有键合工艺。EVG键合设备型号齐全,从手动装片系统到全自动片盒送片多工艺室系统,可以满足不同客户的应用要求。无论手动/半自动装片系统, 键合工艺全部自动完成;而且, 的基片夹具及键合室结构设计,可实现高精度的圆片键合;此外上/下极板为独立分别加热控制, 大加热温度可达650度。

EVG501是一款主要用于研发的高度灵活的键合系统,既可以处理很小的碎片也可以处理200mm的晶圆。可以支持各种形式的键合,如阳极键合、玻璃焊料键合、共晶、扩散、融合、焊接和粘结键合;也可以支持其他热处理过程如氧化物移除和高温烘烤等。EVG501在夹具更换时非常方便,更换时间一般不超过5分钟,大大减少了客户的操作时间和培训费用,因此EVG501是一款非常适合研发和小量生产的设备。

 

二、应用范围

主要应用于MEMS制造、微流体芯片、化合物半导体的薄片处理、晶圆级 封装以及3D互联、TSV工艺等。

 

三、主要特点

  1. 大化降低客户总拥有成本(TCO
  2. 高键合温度450度,压力10KN
  3. 的硅片低压契型补偿系统以提高良率
  4. 温度均匀性: <+/- 1% ;压力均匀性:<+/- 5%
  5. 工艺菜单与其他键合系统通用
  6. 高真空度键合腔室 (可低至 10-5 mbar,使用分子泵)
  7. 开放式腔室设计便于快速转换和维护
  8. 基于Windows 的控制软件和操作界面
  9. 小化占地占地面积--- 200 mm键合系统占地 0.88 m2

 

EVG 501 晶圆键合系统技术参数
 
EVG 501 晶圆键合系统使用说明
 
EVG 501 晶圆键合系统采购须知
 

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