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产品详情
“高纯度99.99尊龙人生就是搏网站靶材磁控溅射沉积靶”参数说明
认证: | dfg001 | 类型: | 贵金属 |
型号: | au9999 | 规格: | dia50*1 |
商标: | ss | 包装: | 真空 |
产量: | 200 |
“高纯度99.99尊龙人生就是搏网站靶材磁控溅射沉积靶”详细介绍
供应高纯贵金属尊龙人生就是搏网站及金基合金溅射靶材Glod(Au)Targets科研及工业 材料
产品名称: 金及金基合金溅射靶材
牌号规格: Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4
用途备注: 金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面,形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。
产 品 详 情
高纯金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。使用金靶材将金膜沉积在半导体芯片表面,形成欧姆接触膜、电极和连线膜,可形成多种金属化膜系统。该金属氧化膜系统可大量应用于制造发光二极管(LED),
和民用微波通信器件, 、航空等重要领域用半导体化合物以及芯片太阳能电池等领域。
化学成分
序号 合金牌号 主成分
Au Ge Ni Ga Be
1 Au1 ≥99.99
2 Au01 ≥99.999 —— —— —— ——
3 Au88Ge 88±0.5 余量 —— —— ——
4 Au83.5GeNi 83.5±0.5 余量 5±0.4
备注:可按客户要求提供其它成分的产品。
外形尺寸(mm)
合金牌号 形状 规格 允许偏差 厚度 允许偏差
Au1、Au01 圆形 100-250 ±0.1 3~6 ±0.2
方形 127×381 ±1 3~6 ±0.2
AuGe12、Au83.5GeNi、 圆形 100-250 ±0.3 6 ±0.5
方形 127×381 ±1 6 ±0.5
备注:可供其它规格和允许偏差的产品。
产品名称: 金及金基合金溅射靶材
牌号规格: Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4
用途备注: 金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面,形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。
产 品 详 情
高纯金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。使用金靶材将金膜沉积在半导体芯片表面,形成欧姆接触膜、电极和连线膜,可形成多种金属化膜系统。该金属氧化膜系统可大量应用于制造发光二极管(LED),
和民用微波通信器件, 、航空等重要领域用半导体化合物以及芯片太阳能电池等领域。
化学成分
序号 合金牌号 主成分
Au Ge Ni Ga Be
1 Au1 ≥99.99
2 Au01 ≥99.999 —— —— —— ——
3 Au88Ge 88±0.5 余量 —— —— ——
4 Au83.5GeNi 83.5±0.5 余量 5±0.4
备注:可按客户要求提供其它成分的产品。
外形尺寸(mm)
合金牌号 形状 规格 允许偏差 厚度 允许偏差
Au1、Au01 圆形 100-250 ±0.1 3~6 ±0.2
方形 127×381 ±1 3~6 ±0.2
AuGe12、Au83.5GeNi、 圆形 100-250 ±0.3 6 ±0.5
方形 127×381 ±1 6 ±0.5
备注:可供其它规格和允许偏差的产品。
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