哈尔滨特博科技（Tebo Technology Co., Ltd. )有限公司，长期专业供应半导体材料。
名称：InAs（ 化铟）单晶，
规格：可以做到2英寸、3英寸，正常晶向为<100>、<111>,特殊晶向也可以加工。
参数：
InAs单晶参数
品种  类型  浓度
（cm-3）  迁移率
(cm2/V.s)  位错密度
(cm-2)
纯 InAs  N  31016  2104  3104
S-InAs  N  (3-80)1017  ？  1104
Zn-InAs  P  (3-80)1017  60-300  1104